《表2 铜电极在5×10-5 mol/L HATT和HXTT溶液中浸泡一定时间后的交流阻抗谱参数》

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《铜表面三唑硫酮衍生物的自组装及其抗盐酸腐蚀的电化学性能》

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图6中Nyquist图经Zsimpwin软件拟合，所获得的交流阻抗参数见表2。由图6可知，铜电极经5×10-5mol/L的HATT或HXTT浸泡后，随着处理时间的延长，铜电极的膜电容、双电层电容和韦伯阻抗降低，且膜电阻和电荷传递电阻持续增长。这表明随着吸附时间的延长，HATT或HXTT分子不断填补其自组装层中的缺陷位点，使得自组装膜更致密，从而有效降低铜电极表面腐蚀。表2也表明，当铜电极分别在5×10-5 mol/L的HATT或HXTT溶液中浸泡相同时间时，经HATT处理的铜电极的膜电阻和电荷传递电阻大于HXTT处理的铜电极，而膜电容和双电层电容更小；并且HATT吸附12 h时，铜电极的韦伯阻抗消失，而HXTT需要更长的时间才使铜电极的韦伯阻抗消失。这些表明HATT吸附于铜表明形成致密的自组装膜所需要的时间更短，其缓蚀效果更好。