《表3 铜电极经不同浓度HATT和HXTT处理1 h的Tafel曲线参数》

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《铜表面三唑硫酮衍生物的自组装及其抗盐酸腐蚀的电化学性能》

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表5所列为根据图9所示的极化曲线得到的电化学动力学参数。由表5可知，与裸铜电极相比，经HATT或HXTT处理后的铜电极其腐蚀电流密度降低，而腐蚀电位处理时间较短时负移，处理时间长时正移。同时，线性极化电阻和缓蚀效率随HATT或HXTT浓度的增加而增大，当HATT或HXTT浓度为0.5×10-4mol/L，处理时间为24 h时，其自组装层的缓蚀效率分别达到97.33%和95.51%，表现出良好的抗0.5 mol/L盐酸腐蚀性能。