《表7 HATT或HXTT处理前后铜表面的俄歇峰参数》

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《铜表面三唑硫酮衍生物的自组装及其抗盐酸腐蚀的电化学性能》

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图12所示为裸铜及其浸泡于2×10-4 mol/L的HATT和HXTT溶液4 h后的Cu 2p和L3M4，5M4，5的XPS能谱。从图12（a）中可以看出，Cu 2p1/2和2p3/2 XPS峰间没有二价铜特有的卫星峰，且Cu 2p3/2的电子结合能在932 e V左右[48]，表明裸铜及其吸附HATT和HXTT后都不存在二价铜。由于一价铜和金属铜的Cu2p3/2电子结合能较接近，难以区分铜表面的一价铜和金属铜。然而，一价铜与金属铜的俄歇谱线存在差别，一价铜的L3M4，5M4，5动能约为916.6 e V，金属铜的约为918.7 eV[48-49]。图12（b）和表7表明，裸铜表面主要以一价铜存在，可能是新抛光的铜表面容易氧化，在送样到检测过程中氧化生成了Cu2O。与裸铜相比，吸附了HATT和HXTT后的铜表面其一价铜含量升高，零价铜含量降低，这说明HATT和HXTT可能铜反应生成一价铜化合物。并且，铜和HATT或HXTT生成一价铜化合物后，其Cu（I）的动能比裸铜表面Cu2O中Cu（I）的动能小0.46 e V左右，推断出HATT或HXTT处理后，铜表面主要为其自组装层，而不是Cu2O。