《表3 Cu在未施加磁场和施加磁场的溶液中浸泡不同时间后的电化学阻抗谱拟合参数》

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《磁场对纯Cu微生物腐蚀行为的影响》

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图8为纯Cu样品在有/无磁场的溶液中浸泡不同时间后的Nyquist图和Bode图。可以看出，在有/无磁场条件中容抗弧半径随着浸泡时间延长先增大后减少，在3 d达到了最大值；浸泡0～3 d后，容抗弧半径逐渐增大，说明电极表面的吸附平衡偏向吸附[38]，这段时间内生物膜逐渐形成起到了保护作用；随着浸泡时间的延长，容抗弧半径逐渐减少，表明膜层发生局部破裂。图9是对阻抗曲线进行拟合后的等效电路图[39，40]，其中图9a代表纯Cu在无磁场条件下EIS对应的等效电路，图9b代表纯Cu在磁场条件下EIS对应的等效电路，表3列出了通过拟合得到的电化学参数。其中，Rs代表溶液介质电阻，Rct为电荷转移电阻，Rb代表微生物膜电阻，Rf代表样品表面腐蚀氧化产物电阻，Rp代表样品表面腐蚀产物膜电阻和细菌生物膜电阻。由于样品的不均匀性，在等效电路中用常相位角元件（CPE）来代替电容，它的阻抗为：