《表2 Cu在未施加磁场和施加磁场的溶液中浸泡10 d后的极化参数》

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《磁场对纯Cu微生物腐蚀行为的影响》

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图7为纯Cu样品在不同磁场强度的溶液中浸泡10 d后的动电位极化曲线，利用Tafel直线外推法得到的电化学参数见表2。从图7和表2可以看出，Cu在有/无磁场的溶液中浸泡10 d后，磁场作用下的样品腐蚀速率降低，自腐蚀电位Ecorr负移，腐蚀电流密度Icorr从无磁场时的1.74μA/cm-2下降到28 mT时的0.637μA/cm-2，60 m T的腐蚀电流密度为0.559μA/cm-2，达到了最低值。这一变化趋势与阻抗图显示的一致，纯Cu耐蚀性增强主要与表面覆盖的生物膜及氧化膜有关[37]。