《表1 不同氧压薄膜各元素含量》

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《沉积氧压对RuVO_2合金薄膜结构及MIT特性的影响研究》

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如图3所示，（a）、（b）分别为不同沉积氧压下生长的RuVO2薄膜XPS全谱图和窄谱图．由图3可知，不同沉积氧压下制备的薄膜内均只含有Ru、V和O 3种元素．Ru3P3/2结合能为461.5 eV，对应价态为Ru4+.V 2p3/2结合能为515.1 eV，对应价态为V4+．表1给出基于XPS窄谱数据计算得到的不同氧压下沉积薄膜中各元素的含量．分析表明，随着氧压增加，薄膜中O元素的含量呈递增趋势．当氧压达到最高4.8 Pa时，O含量稍有下降，此时薄膜厚度为32 nm，不到其他薄膜厚度的一半，表明O含量的下降可能与薄膜沉积率的下降相关．随着氧压在2.4～4 Pa之间增加，V和Ru元素含量分别呈现递减和递增趋势，说明Ru和V在薄膜沉积过程中存在竞争关系，总体来说，沉积成膜过程中V元素更容易与O结合生成VO2．随着氧压增加，薄膜成分中阴阳离子百分比符合预期，逐步接近化学计量比2∶1.