《表1 不同真空热处理温度还原2h的改性石墨烯薄膜的EDS能谱元素含量表Tab.1 Content form of modified graphene films EDS pattern under

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《不同还原工艺对石墨烯薄膜光催化性能的影响》

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为表征改性石墨烯薄膜的氧化程度，对经过不同热处理工艺还原的改性石墨烯薄膜通过EDS能谱进行成分分析，EDS能谱成分含量分别如表1和表2所示。由表1可知，经过不同真空热处理温度还原的改性石墨烯薄膜C/O原子比分别为2.31，3.90，6.79；表2为不同空气热处理温度还原的改性石墨烯薄膜，随着空气热处理温度的升高，C/O原子比分别为3.25，4.40，8.00，即随着还原温度的升高，薄膜发生了一定的脱氧还原反应[12]，薄膜表面释放出CO，CO2，H2O等气体分子，活性也随之降低，C/O原子比逐渐增大。但是在相同温度下，真空热处理工艺的还原程度相对较小且反应更温和，缺陷修复得更完善，薄膜上氧化基团相对更多，氧化程度更高。所以同一温度下，真空热处理还原得到的C/O原子比低于空气热处理还原得到的C/O原子比。