《表1 IGZO结晶薄膜各对应区域金属元素的含量》

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《SiN_X覆盖层厚度对非晶In-Ga-Zn-O薄膜退火晶化的影响研究》

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对退火后的SiNX覆盖的IGZO中结晶区域与未结晶区域的EDS分析结果如图4所示，表1为相应区域的IGZO薄膜的各金属元素含量。界面结晶区域1中In元素的原子含量为54.7%，IGZO内部结晶区域2中In元素的原子含量为53.1%，未结晶区域3中In元素的原子含量为48.4%。无覆盖层的IGZO薄膜经退火后，在越靠近表层处In金属元素的含量越小[21]，而存在覆盖层SiNX时，IGZO薄膜表层的In元素含量反而升高。另一方面，厚度分别为20 nm与70 nm的SiNX覆盖IGZO膜层中，与界面距离相同处Si元素的含量相近，说明Si元素的出现可能与能谱分析的横向分辨率相关。因此，IGZO层的结晶与Ge诱导Si薄膜晶化的方式不同[22]，其结晶的原因不是界面原子的互扩散的结果，它与In等金属原子的层内扩散相关。