《表4 不同温度硒化制得柔性CZTSSe太阳能电池的光电参数》

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《"硒化温度对柔性Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜及太阳电池性能的影响"》

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不同硒化温度下制得的柔性CZTSSe薄膜太阳能电池的电流密度-电压（J-V）特性图如图4所示，太阳能电池具体的光电参数列于表4中。从J-V特性曲线可以看出，随着硒化温度的升高，开路电压Voc，短路电流密度Jsc和填充因子FF均有所增加，转换效率η也从1.40%增加到2.27%，在580℃下转换效率达到最大值。太阳能电池转换效率的提高主要得益于CZTSSe薄膜的充分硒化。因为硒化温度的提高有利于形成大尺寸的晶粒。大尺寸的晶粒不仅减少了晶界处载流子的复合几率从而提高了电池短路电流，使得电池的填充因子得到提高。从SEM照片中可以看出，虽然在560℃硒化温度下的薄膜晶粒尺寸最大，但是薄膜中存在的孔洞也较多。孔洞的增多会增加局部载流子复合的几率还可能造成电池的部分短路，所以该温度下电池转换效率较低。580℃硒化温度制备的薄膜结晶度和致密度最好因而所制备的电池的转换效率最高。进一步升高硒化温度到600℃时，开路电压Voc和填充因子FF都有所减小，电池的转换效率下降，这可以归因于该硒化温度下的晶粒尺寸的减小以及薄膜表面孔洞的增多。因此，580℃的硒化温度下制备的柔性CZTSSe薄膜太阳能电池的光电性能最好，符合之前的分析结果。