《表1 4种太阳能电池(PSC、Cd Te、poly-Si、c-Si)在不同光照强度条件下的光电参数》

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《超越传统光伏:弱光环境下可印刷介观钙钛矿太阳能电池光电特性》

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我们对4种太阳能电池在不同光照强度下的性能进行了测试，其PCE的变化如图1（c）所示，其他性能参数VOC、JSC、FF和Pmax的变化如图S1所示.可以看出，当光照强度从100降低到5 m W cm–2时，可印刷介观PSC的PCE随着光照强度的降低而上升，主要是FF的提高.单晶硅、多晶硅和碲化镉太阳能电池的PCE以不同的速率下降，尤其是多晶硅的PCE呈指数下降.具体性能数据如图S2和表S3～S6所示.结合表1进一步分析发现，当光照强度小于0.3 sun时，可印刷介观PSC的PCE高于poly-Si和Cd Te太阳能电池，开始展现出一定的光电转换效率优势.在极低的0.05 sun光照强度下，可印刷介观PSC的PCE高于其他所有的太阳能电池.随着钙钛矿光伏技术的日益进步，PSC的最高PCE公证记录不断被刷新.可以预见，可印刷介观PSC的PCE也将不断攀升.图1（c）预测了提升至不同PCE的情况分析，其中虚线和点线分别表示PCE达到12%和15%的情况.根据这一线性趋势，如果可印刷介观PSC小型模组在1.0个标准太阳光照射下的PCE达到12%，那么在光照强度小于0.5 sun的情况下，其PCE便将超过c-Si、poly-Si和Cd Te太阳能电池；如果其在1.0个标准太阳光照射下的PCE能进一步达到15%，那么其PCE在大多数光照强度条件下都将超过c-Si、poly-Si和Cd Te太阳能电池，这也展示出了可印刷介观PSC在未来的多应用场景中的无限可能.