《表3 不同结构的Cd Te太阳电池的I-U参数》

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《单色光电流-电压特性测试在碲化镉太阳电池研究中应用》

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对于无CdS层的器件S5和S6，其4个波段的单色光收集效率在小偏压下降低超过30%，尤其是无背接触层的S6结构下降更陡峭，在UOC附近降低更加显著。当器件未能形成稳定的p/n结时，如S7结构，器件单色光下的收集效率降低的有些夸张，不具备实际意义，但这种陡峭的降低趋势是器件实际收集效率差的表现。无CdS层的CdTe电池的收集效率在低偏压下开始明显下降，这一现象主要是由于界面态引起的。稳定的CdS为六方相结构，其晶格常数比SnO2和FTO更接近CdTe，与CdTe立方相的晶格失配度只有9.8%，是几种合适窗口层中最低的，但这仍可以产生非常高的界面缺陷态密度；但在CdS在CdTe的制备高温热退火过程中发生扩散，部分CdS被消耗生成带隙更低的CdTexS1-x三元相[15]，降低了CdS窗口层厚度并增加蓝光吸收，有利于器件整体性能的提高，也使得CdS和CdTe之间的界面缺陷态密有效降低并进一步减少界面复合。