《表2 不同硒化温度下CZTSSe的霍尔效应参数Tab.2 Results of Hall effect measurements of the CZTSSe thin films selenized
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《硒化温度对共溅射法制备的CZTSSe薄膜与电池性能的影响》
研究中霍尔效应的测试采用范德堡法，薄膜的厚度约为800 nm。表2给出了样品的霍尔效应参数，随着硒化温度的升高，薄膜的电阻率先从2.41Ω·cm减小到1.57Ω·cm，再增大到1.59Ω·cm。电阻率的变化和Cu/（Zn+Sn）有较大的关系，在硒化温度较低时，由于Sn的挥发导致Cu/（Zn+Sn）增大，CZTSSe薄膜中出现略微的富铜现象，因此电阻率逐渐降低。随着硒化温度的升高引起Cu元素的挥发，Cu/（Zn+Sn）值下降，电阻率会有所上升。另外当硒化温度为580℃时，由于硒化充分且薄膜均匀致密，晶粒相对于其他温度而言较大（见图3）。大晶粒的形成可以有效抑制载流子传输时在晶界间散射现象的产生[22]，因此薄膜的载流子浓度也最高，为8.2×
| 图表编号 | XD0030819900 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.01.01 |
| 作者 | 孙孪鸿、沈鸿烈、黄护林、李玉芳、商慧荣 |
| 绘制单位 | 南京航空航天大学能源与动力学院、南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室、南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室、南京航空航天大学能源与动力学院、南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室、南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室 |
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