《表3 不同硒化温度与时间下Eg峰波数的具体位置》

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《硒化温度对SnSe_2薄膜材料性能的影响》

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图谱上波数（σ）为116cm-1左右的峰和184cm-1左右的峰分别是SnSe2的两个拉曼特征峰，波数116cm-1的峰为Eg拉曼振动模式，对应平面内振动模式，这样的振动模式是由于薄膜的SeSn-Se原子层结构[16]。波数184cm-1的峰为A1g拉曼振动模式，对应着平面间振动模式[17]。随着硒化温度上升，116cm-1的峰位置稍向高波数方向移动。这是因为SnSe2的三层原子层结构靠范德华力（Van der Waals）结合，在硒化温度升高的情况下，层间的分子间作用力增强，材料内部力常数增大，导致原子在平面内的振动被抑制[18]。表3为不同硒化温度与时间条件之间Eg峰波数的具体位置。184cm-1的峰位置基本不变，波数为253cm-1的峰为非晶Se[19]。