《表1 Ti-Co合金薄膜的制备工艺参数》

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《钴掺杂TiO_2纳米管阵列薄膜的制备及其光催化还原性能》

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采用JGP450A2型高真空磁控溅射系统，使用拼靶方法进行磁控溅射。溅射镀膜前将ITO玻璃在丙酮、无水乙醇、去离子水中分别超声15 min，在ITO玻璃基底上制备Ti-Co合金薄膜。实验参数列于表1。以Ti-Co合金薄膜为阳极、铂片电极为阴极，在0.3%NH4F/乙二醇+3%vol水电解液体系中[5]施加30 V电压进行阳极氧化2 h，制备钴掺杂TiO2纳米管阵列薄膜。将阳极氧化后的样品放在乙二醇中超声5 min，用去离子水冲洗后用压缩氮气吹干，最后将其在500℃管式炉（(OTF-1200X型）)空气气氛中退火3 h。升温速度为2℃/min，随炉冷却。根据钴含量的不同将Ti O2纳米管阵列薄膜（Titanium di‐oxide Nanotube Array Film）标记为Cox-TONT（x=0、1、2、4）。