《表1 WO3薄膜样品制备的工艺参数》

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《WO_3薄膜制备及其电致变色性能研究》

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磁控溅射设备为MS4-550型多功能镀膜机，采用直流反应溅射制备WO3薄膜。纯度99.9%的金属钨靶作为靶材，尺寸为准76.2mm×3mm，以方阻小于10Ω/□的ITO透明导电玻璃作为基片[15]。本底真空度低于8.0×10-4Pa，靶基距为76.5mm，转速为10r/min，温度为室温下氧气和氩气的流量比1:1，工作压强3Pa，溅射功率分别为100W、200W、270W、400W（记为1～4号样品）。薄膜厚度控制在（310～330)nm以内，其中5号样是3号样在马弗炉中空气气氛下退火处理先升温至400℃（升温速率为10℃/min）并保温1.5h后随炉冷却，表1为制备WO3薄膜的溅射工艺参数。