《表3 各种制备WO3薄膜光电化学性能汇总》

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《氧化钨（WO_3）薄膜光电催化性能的改善及应用》

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Mohite等[81]用化学喷雾热解法制备WO3薄膜作为光阳极，当WO3光电极表面在光照下产生载流子时，电子通过外部电路到达对电极，而价带的空穴则生成·OH自由基，·OH自由基作为强氧化剂可有效分解有机污染物RhB。结果显示，在室温下，WO3光电极降解RhB的效率可达98%，且降解时间不超过160min。Hunge等[82]通过化学喷雾热解法制备WO3薄膜，并作为光阳极对染料孔雀蓝进行光电催化降解。在没有偏压下，光催化降解效率低。通过在WO3光电极和不锈钢之间施加1.5V偏压，可有效避免半导体界面电子空穴的复合，从而提高表面反应速率。其中光电流密度达到0.13mA/cm2，240min内孔雀蓝降解率高达92%。Wen等[83]通过水热法和化学浴沉积法制备了CdS量子点敏化WO3纳米片光阳极，并且在WO3纳米片薄膜上制备二氧化钛纳米缓冲层，然后再进行CdS量子点负载。因TiO2负载于WO3薄膜上，形成的异质结可有效分离光生载流子并阻止载流子的复合，使其光催化降解效率和光电性能得到极大提高。在3h内，光电催化降解MO的效率达到72.3%，而光催化和电催化降解率分别只有13.6%和1.1%。从以上结果可以看出，外加偏压可加速载流子的分离，抑制电子空穴的复合，提高表面反应速率，因而光电催化降解有机污染物技术在未来具有良好的应用前景。表3列出了不同制备方法所获得的WO3薄膜光电化学性能。