《表2 Te (IV) 一元DMSO溶液中的电化学阻抗谱图的拟合数据Table 2 Data obtained from the fitting of EIS plots measured in Te

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《基材种类对DMSO体系中电沉积碲化铋薄膜热电材料的影响》

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图7为Cu、Ni、Pt三种金属电极在含1 mmol/L Te（IV）的DMSO溶液中的电化学阻抗谱图，测量电位的选择原则与图5相同。由图7可以看出，在3种电极上均观察到明显的阻抗半圆，且在Cu电极和Ni电极上还可观察到一条斜线，说明Te（IV）在Pt电极上的还原为电化学极化控制，而在Cu电极及Ni电极上的还原为电化学极化和浓差极化混合控制。在Ni电极和Pt电极上测得的阻抗谱图中可以观察到2个阻抗半圆，说明Te（IV）在Ni和Pt基体上的还原是分步进行的。采用图8中的等效电路对图7中的阻抗谱图进行模拟计算，所得结果见表2，其中Cd1和Cd2分别为第一步和第二步反应过程的双电层电容，Rr1和Rr2分别为第一步和第二步反应过程的电化学反应阻抗。对比表2中阻抗半圆的直径Rr1可以看出，Te（IV）在3种电极上还原时的电化学阻抗是Pt