《表1 Bi (III) 一元DMSO溶液中电化学阻抗谱图的拟合数据》

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《基材种类对DMSO体系中电沉积碲化铋薄膜热电材料的影响》

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图5为Cu、Ni、Pt三种金属电极在含1 mmol/L Bi（III）的DMSO溶液中的电化学阻抗谱图。为了比较Bi在不同金属电极上还原的难易程度，电化学阻抗谱测量应在能够保证Bi析出的电位下进行，且应该在相同的极化程度下进行比较。因此，依据Cu、Ni、Pt三种金属电极在含1 mmol/L Bi（III）的DMSO溶液中测得的阴极极化曲线，首先确定Bi在各电极上的析出电位（即阴极极化曲线上电流开始明显上升的电位），然后选择在比Bi析出电位负100 m V的电位下测量电化学阻抗谱。由图5可以看出，在3种电极上均观察到明显的阻抗半圆，说明Bi（III）在3种电极上的还原均为电化学极化控制。采用图6中的等效电路对图5中的阻抗谱图进行模拟计算，所得结果见表1，其中Rl为溶液电阻，Cd为双电层电容，Rr为电化学反应阻抗。对比表1中的Rr可以看出，Bi（III）在Pt、Cu、Ni这3种电极上还原时的电化学阻抗依次增大，说明Bi（III）发生还原的难度依次增大。此结论与之前的循环伏安曲线及阴极极化曲线的分析结果一致。