《表4 不同p H值LDH-VO粉体改性的硅烷膜层电化学阻抗谱图的拟合结果》

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《水滑石粉体的制备及其对硅烷膜性能的影响研究》

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所用拟合电路均为图6所示拟合电路图，图8拟合后结果如表4所示，添加100 mg/L不同p H值的LDH-VO粉体所制备的硅烷膜层，其膜层电荷转移电阻增大，表明添加LDH-VO粉体后铝合金耐蚀性能增加，当添加的LDH-VO粉体的p H值为5，7，9时，所制备的硅烷膜的膜层电阻与电荷转移电阻增大，说明添加此p H值范围内的硅烷膜，其耐蚀性能增大，其中p H值为7或9时膜层电阻与电荷转移电阻较大，表明此范围p H值的LDH-VO粉体改性的硅烷膜耐蚀性能好，但当LDH-VO粉体的p H值达到11时，其膜层电阻与电荷转移电阻降低，硅烷膜耐蚀性能降低，这与前边的结果是一致的。