《表3 不同试样EIS谱图的拟合结果》

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《氧化石墨烯增强硅烷杂化膜的耐蚀性》

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在图6所示的等效电路中，Rs表示溶液电阻；Rc为膜层电阻，Rc越大说明膜层越致密；Rct为膜层的电荷转移电阻，该值越大说明膜层的耐蚀性越强；Cc为硅烷膜的电容；Cdl为双电层电容。从表3可知，与40Cr基体相比，两种硅烷膜试样的Rc和Rct都有较大提高，其中杂化硅烷膜的Rc和Rct比纯硅烷膜高1个数量级，说明它的致密性和耐蚀性更优。