《表2 不同添加量的LDH-VO改性硅烷膜的电化学阻抗谱拟合结果》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《水滑石粉体的制备及其对硅烷膜性能的影响研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

图6为经不同硅烷膜处理后的铝合金的拟合电路图[19]，其中Rs为溶液电阻，Qf为铝合金表面氧化膜或硅烷膜的常相位角元件，Rf为对应的硅烷膜的膜层电阻；Qdl为膜基界面双电层对应的常相位角元件，Rct为膜基界面的电荷转移电阻。膜层电阻Rf是反映膜层厚度和膜层屏蔽作用的指标，膜层电阻越大，其膜层屏蔽效果越好，越有利于阻挡腐蚀介质的渗透。膜层电荷转移电阻Rct是反映溶液在膜层与金属基体界面发生腐蚀的难易程度，电荷转移电阻越大，发生反应的可能性越小，金属基体的耐蚀性越好。由如图电路拟合不同添加量的电化学阻抗谱得到拟合结果，如表2所示，当添加LDH-VO粉体后，膜层电阻变化不大，但电荷转移电阻发生变化，当添加量较少时，膜层电荷转移电阻增加1～2个数量级，其中当添加量为100 mg/L时，电荷转移电阻最大，为1.804×108Ω獉cm2，表明LDH粉体的添加量为100 mg/L时，铝合金的耐蚀性能最好，这与阻抗的结果是一致的。