《表2 铝合金表面不同含量EDTA制备Ce VO4改性硅烷膜层的极化曲线拟合结果表》

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《CeVO_4改性硅烷膜的耐蚀性能研究》

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图6为铝合金表面不同含量EDTA制备CeVO4改性硅烷膜在3.5%Na Cl溶液中的极化曲线，表2为极化曲线拟合结果。从图6和表2可知，不同含量的EDTA制备CeVO4能够不同程度地降低硅烷膜的自腐蚀电流密度，增强硅烷膜层的耐蚀性。由表2可知，不同添加量的EDTA制备Ce VO4改性硅烷膜的腐蚀电位没有太大的变化，但腐蚀电流密度相对于纯硅烷膜层腐蚀电流密度（4.74×10-7A·cm-2）下降了大约1～2个数量级左右。其中，当EDTA含量是2.5 mmol时，其腐蚀电流密度达到最小2.254×10-9A·cm-2，相较于纯硅烷膜层腐蚀电流密度降低了2个数量级以上。这说明CeVO4-2.5改性硅烷膜能不同程度提高硅烷膜层的耐蚀性，降低了腐蚀情况的发生，达到保护金属基体的目的。