《表1 被测SiC MOSFET主要参数》
为了比较不同厂商的SiC MOSFET雪崩特性差异,分别采购了CREE、ROHM和ST的器件,同时也考虑涵盖了主流的电压等级和不同的电流等级。被测SiC MOSFET的主要参数见表1。
图表编号 | XD0055643900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.06.10 |
作者 | 王俊杰、郭清、盛况 |
绘制单位 | 浙江大学、浙江大学、浙江大学 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
为了比较不同厂商的SiC MOSFET雪崩特性差异,分别采购了CREE、ROHM和ST的器件,同时也考虑涵盖了主流的电压等级和不同的电流等级。被测SiC MOSFET的主要参数见表1。
图表编号 | XD0055643900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.06.10 |
作者 | 王俊杰、郭清、盛况 |
绘制单位 | 浙江大学、浙江大学、浙江大学 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |