《表1 本设计与其他参考文献中设计的性能比较Tab.1 Performances comparison of the proposed design and the designs in other

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《无源温度标签中的超低功耗CMOS温度传感器设计》

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图8给出了不同晶体管工艺角（SS，TT，FF）下，经过40℃单点温度校准后，温度传感器的测温精度仿真结果，从图8可以看出，在-40~125℃的测温范围内，温度传感器的系统误差为-1.4~2.0℃，并且测温特性随晶体管工艺波动的影响较小。该温度传感器的测温分辨率达到了0.02℃。图9给出了在27℃时温度传感器的测温误差随电源电压的变化情况，从图9中可以看出，当工作电压在1.2~2.6 V变化时，温度波动范围小于0.3℃，证明该温度传感器电路具有较好的抗电源电压波动的能力。仿真结果还表明，在27℃环境下，传感器核心电路的功耗仅为2.4μ[email protected] V。表1给出了本文中设计与其他参考文献中设计的参数比较。从表1中可以看出，本文设计具有更宽的工作电压范围和更低的功耗，且具有较好的抗电源电压波动的能力。在芯片的生产过程中，由于工艺的波动将会导致在相同温度条件下，不同芯片中的电压信号VBE存在一定的差异，因此需要对温度传感器电路进行校准。而对于电压信号ΔVBE，其精度主要受比例电流源匹配精度的影响，由于电路中采用了动态匹配技术提高比例电流源的匹配精度，因此在相同温度条件下，不同芯片中电压信号ΔVBE基本相同。但是，在较高的环境温度下，传感前端电路及采样电路中的漏电流增大，将会导致比例电流源的精度受到影响，进而影响电压信号ΔVBE，降低温度传感器的测温精度。