《表1 不同存储单元的参数比较Tab.1 Parameters comparisons of different storage cells》

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《一种新型单粒子翻转加固SRAM单元》

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基于0.13μm商用工艺，1.5 V供电，室温下利用文献[16]中的瞬态电流模型对各存储单元进行单粒子瞬态仿真。如表1中所示，各存储单元的面积（S），写入时间（tw），静态功耗（P），临界电荷（Qc）以及在瞬态电流（I0）为400μA，电荷收集时间常数β和电离径迹建立时间常数α分别为400 ps和50 ps的条件下，存储单元状态恢复时间（tr）比较。在加固存储单元中，Quatrol结构的面积最小，ROCK结构的面积最大约为普通存储单元的3.5倍，本文中提出的新结构相比普通结构面积增大约两倍。JUNG单元的功耗最小约为普通结构的1.9倍，WHIT单元的功耗最大，因为WHIT单元中存在弱导通晶体管，所以漏电流较大。ROCK结构的写入时间最短，Quatrol结构的写入时间最长，WHIT结构与新结构的写入时间相当。JUNG单元发生单粒子翻转所需的临界电荷最小，由于单个节点出现电平跳变不会引起WHIT和新结构发生单粒子翻转，因此，这两种结构所需的临界电荷为正无穷大。因为普通结构、ROCK、Quatrol及JUNG单元的单节点翻转特性，一旦发生节点状态翻转，存储单元的状态将无法恢复，所以这4种存储单元的恢复时间为正无穷大。因此，加固SRAM单元中只有WHIT和新结构在内部任意单个节点发生电平扰动后可以恢复存储状态。