《表1 像素探测器实验样品参数Tab.1 Parameters of the samples》

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《CCD与CMOS像素传感器γ射线电离辐射响应特性对比研究》

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实验样品选用4种像素探测器放置于相同辐照环境中同时进行辐照实验。实验样品参数如表1所示。放射源采用单栅板式平面排列60Coγ射线放射源，源棒数量504支，分四层排列，每层两门，每门63支，每两支间距21 mm，光子能量为1.17，1.33 Me V，放射源平均活度为680 k Ci，辐射场不均匀度小于15%，环境温度约为19℃。初始状态时，放射源处于井底储存位中，实验开始后，放射源从初始位上升到预定位，升源时间为50 s。将4种像素传感器分别置于剂量率为16.63，20.20，58.30 Gy/h（Si O2）的实验点处，剂量率采用重铬酸银化学剂量计测算获得，剂量率不确定度小于8%。输出信号通过混合网络硬盘录像机采集，采样率为25 Hz，实时采集像素阵列传感器各像元输出信号灰度值及像元的位置信息，传感器积分时间为1/25 s。