《表2 不同温度下ZrMoN薄膜与基体在0.6V (相对于SCE) 时的腐蚀电流密度Tab.2 Corrosion current densities of ZrMoN coatings at dif

《表2 不同温度下ZrMoN薄膜与基体在0.6V (相对于SCE) 时的腐蚀电流密度Tab.2 Corrosion current densities of ZrMoN coatings at dif   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《物理气相沉积制备ZrMoN薄膜的腐蚀行为》


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μA/cm2

以ZrMoN薄膜在PEMFC阴极环境中阴极电位(相对于SCE)为0.6V时电流密度的对数形式(lgJcorr)表示其腐蚀速率,根据美国能源部2002年制定的技术指标要求,该腐蚀电流密度应小于1.0μA/cm2[18]。分别在图4中纵轴为0.6V和横轴为-6的位置处作垂直线标记。表2为各试样在模拟PEMFC阴极环境中阴极电位(相对于SCE)为0.6V时的腐蚀电流密度。从表2中可以看到:温度为300℃和400℃时腐蚀电流密度分别为-5.790,-5.842μA/cm2,相对较小,说明这两种温度下ZrMoN薄膜在模拟PEMFC阴极环境中的耐蚀性较好,也较为接近美国能源部的技术指标要求。