《表1 AlTiSiN涂层的沉积参数》

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《偏压对MPP制备AlTiSiN纳米复合涂层结构及性能的影响》

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待基体等离子体清洗结束后，开启Ti靶，设置Ti靶平均功率（Pa）和放电电压（Va）分别为10 kW和450 V，其中脉冲频率（f）、峰值功率（Pp）、峰值电压（Vp）及峰值电流（Ip）分别为94 Hz、111 kW、595 V及190 A，Ar气流量恒定为300 mL/min，时间设定为1 h，进行Ti过渡层沉积。Ti过渡层沉积完成后，开启AlTiSi靶，进行AlTiSiN表面功能层制备，沉积参数如表1所示，其中，沉积时间设定为3 h。调控基体偏压（-50～-250 V）制备不同偏压条件下的AlTiSiN纳米复合硬质涂层。