《表1 Mo S2涂层沉积参数》

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《离子源辅助电弧离子镀制备MoSx自润滑涂层》

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实验所用的基底材料为单晶硅片和硬质合金，分别用于结构和机械性能测试。基底依次在酒精、去离子水中超声清洗并吹干，然后装夹在真空室内工件转架上。在Ar气氛、2 Pa气压，负800 V偏压下，开启离子源对基底进行等离子体刻蚀，以保证衬底表面清洁无污物；刻蚀结束后先沉积Mo过渡层，再沉积Mo Sx层，制备过程中温度控制在300℃，具体工艺参数如表1所列。为了与Mo Sx做对比，在纯Ar中制备了纯Mo薄膜。