《表1 a-C∶H涂层沉积参数》
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《a-C∶H和ta-C涂层对7075铝合金的摩擦学特性》
采用MDC600真空镀膜装置沉积a-C∶H涂层。设备配置电容耦合射频(RF)(13.56MHz)等离子体电源。基板为阴极,四甲基硅烷(Tetramethylsilane,TMS)和乙炔(C2H2)为前驱气体。放置在真空室中的样品基底先用氩氢等离子蚀刻30min;然后向真空室通入四甲基硅烷,在基板表面沉积一层Six Cy Hz粘结层,沉积时间2min;然后逐渐通入C2H2同时减少TMS流量并调整偏压输出,沉积一层含硅量梯度变化的Six Cy Hz涂层,沉积时间为8min;当TMS流量减少至0、同时C2H2达到预设值之后,维持沉积参数沉积a-C∶H涂层,沉积时间为1h。薄膜的沉积参数列于表1。
图表编号 | XD00182743900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.02.23 |
作者 | 黄志宏、杨豆、杨兵、刘传胜 |
绘制单位 | 温州职业技术学院机械工程系、武汉大学动力与机械学院、武汉大学动力与机械学院、武汉大学深圳研究院离子束实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |