《表1 Ta-C涂层沉积参数》

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《石墨靶溅射时间对Ta-C涂层性能的影响》

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本项研究采用脉冲磁控溅射技术，靶材为直径49 mm纯度99.9%的Ti靶和直径49 mm纯度99.9%石墨靶，在通入Ar2的真空炉腔内制备Ta-C涂层。涂层制备之前对基体进行进行抛光、酒精清洗、蒸馏水清洗、烘干处理，用于去除基体表面的杂物，预处理完成的基体放置在托盘上送入脉冲磁控溅射设备（型号:PLASMAADS400）炉腔内。首先抽至本底真空1×10-6 Pa，然后通入氩气到真空度8×10-5 Pa，氩气通入流量为50 sccm，电离电压2000 V，基体在500 V偏压下经过氩离子刻蚀20 min，进一步去除基体表面的杂物并达到活化基体表面的目的，然后Ti靶以15 Hz的溅射频率进行溅射，溅射时间为5 min，并通过阳极过滤之后沉积到基体表面作为涂层的打底层；随后Ti靶和石墨靶同时以脉冲频率为15 Hz的溅射频率下进行溅射3 min，通过阳极过滤之后沉积到Ti打底层表面，最后通过控制石墨靶溅射时间制备不同性能的Ta-C涂层。根据实验室先前其他涂层制备的研究成果溅射时间60 min时涂层性能较优，所以这里从40 min到80 min，每隔5 min选取一个参数，沉积参数如表1。