《表2 ta-C涂层的沉积参数》

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《a-C∶H和ta-C涂层对7075铝合金的摩擦学特性》

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采用NTC300真空镀膜系统沉积ta-C涂层。设备配置阳极层离子源，磁控溅射钛阴极和弯管磁过滤石墨弧阴极。沉积之前先用阳极层离子源对基片刻蚀30min，然后利用磁控钛靶溅射钛粘附层，最后用石墨靶沉积ta-C涂层。石墨弧靶产生的C离子由弯管外壁的通电线圈聚焦，沿弯管输运到弯管与真空室连接处，连接处有偏转线圈，偏转线圈通交流电，产生离子束扫描效果，扫描区间120mm，扫描频率1Hz；工件布置在真空室内的旋转工件架上，转速3r/min。薄膜的沉积参数列于表2。