《表1 Ti Al Si N涂层沉积参数》

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《电弧离子镀偏压对TiAlSiN涂层结构及性能的影响》

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将基底磨样、抛光至光滑镜面，置于酒精中超声波清洗后，取出并放入烘箱中干燥，而后取出置于镀膜室工件架，镀膜面与靶材面平行，关闭腔门。镀膜腔抽真空至5×10-3 Pa，温度升温至400℃，工件架设置转速为3 r/min。为提高涂层结合力，基底离子轰击后先沉积Cr/Cr N作为过渡层。由于前期试验已总结相关最优参数，因此对其他工艺参数不进行探究。具体沉积工艺参数见表1。