《表3 不同偏压下Ti Al Si N涂层1000℃氧化4 h前后表面能谱》

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《电弧离子镀偏压对TiAlSiN涂层结构及性能的影响》

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图10为涂层在1000℃氧化4 h后的表面形貌，涂层未发现明显裂纹，展现出优异的抗热胀性。涂层氧化后形成团簇区域A、平整区域B。涂层表面的氧化团簇覆盖率与涂层常温下粗糙度的变化趋势类似。偏压50 V下涂层表面氧化团簇最多，抗氧化性最差，该结论与XRD测试结果一致。SEM表面形貌表明，偏压高于75 V时，涂层表面氧化团簇较少，但随着偏压增强，涂层表面孔隙增加，表面团簇数量又重新升高。表3中B系列团簇点与A系列平整点相比，O元素含量无明显变化，Al向外扩散形成氧化层，导致Si、Ti比例进一步减少，结合扫描电镜形貌、EDS能谱、Al的氧化物形态推测[26]，团簇氧化物主要为Al向外大量扩散形成的Al2O3。