《表1 Ti N涂层的沉积条件》

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《偏压对磁控溅射TiN涂层微观结构及性能的影响》

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利用FDJ700型高真空多功能镀膜设备在预处理后的GH169高温合金表面沉积TiN涂层，Ti靶尺寸为120 mm×80 mm×7 mm，纯度为99.9%。高功率脉冲电源为成都普斯特电气有限责任公司研发的HPS-150D型脉冲电源。基体材料尺寸为15 mm×10 mm×2 mm，所有基体表面均进行打磨抛光处理，经抛光过的样品再用丙酮和乙醇超声清洗30 min后保存在酒精中待用。镀膜开始前，先将真空抽至3×103Pa，再加热试样至250°C，并通入氩气为40 sccm，控制工作气压为1.8 Pa，施加800 V偏压，辉光清洗30 min，除去表面杂质。将偏压调至设定值，沉积过渡层20 min，工作气压为0.5 Pa，通入N2，保持N2:Ar=40:40，分别在50、100、150、200 V的偏压下沉积TiN涂层。详细制备工艺列于表1中。