《表5 同周期兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件的电磁屏蔽效能》

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《兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的研究》

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对制备的兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件进行光谱和电磁屏蔽效能测试，测试结果如图8(a）和图8(b）所示.其中R表示金属网栅上镀制红外增透膜，周期g为550μm，线宽分别为20μm、30μm、40μm、50μm.从图8(a）所示，镀制增透膜后，金属网栅的红外透射率得到很大的提升.以线宽2a等于30μm为例，在没有镀制增透膜时，3～5μm波段内的红外透射率平均在48%，金属网栅的基础上镀制红外增透膜后的透射率平均为86.1%，透射率增加了38%.金属网栅的线宽为20μm增加到50μm时，器件的透射率在80.6%～91.8%之间.结合图5(b）对比图8(b）发现，镀制红外增透膜对兼容电磁屏蔽红外窗口器件的电磁屏蔽效能几乎无影响，即测试低电阻率基底薄膜器件在12～18 GHz的总体均在27 d B以上.金属网栅薄膜镀制红外增透膜前后透射率对比见表4，两种不同电阻率硅基底同周期兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件的电磁屏蔽效能如表5所示.