《表1 不同工艺条件制备Nb薄膜的XRD实验数据》
图1(a)为不同激光能量下制备样品的XRD谱,可以看出薄膜分别在38.0°±0.2°、61.1°、69.0°±0.2°与82.1°±0.2°附近存在衍射峰,根据衍射峰的峰位和标准衍射峰(PDF)卡片对比,可以得出69.0°±0.2°为硅基底(400)晶面的衍射峰,61.1°为NbO(220)晶面的衍射峰,其余分别为Nb(110)与Nb(220)晶面衍射峰,并且Nb薄膜在(110)峰面有明显的择优取向,为多晶体心立方结构。这是因为Nb薄膜制备过程中,Nb原子被溅射到达薄膜表面之后,容易被表面能较高的(220)晶面所吸引[11],大量原子到达晶面,成核速率快,最终来不及扩散,生长受到抑制,晶面逐渐缩小,导致(220)衍射峰变弱,相反(110)晶面由于表面能低,根据Wullf理论[12]该面不容易沉积原子,成核缓慢,晶核有足够时间扩散,拓展空间变大,晶面逐渐变大,从而导致Nb薄膜呈现(110)晶面择优取向。随着激光能量增加,(110) 晶面衍射峰的半峰宽逐渐减小,激光能量为280mJ时,FWHM最小为0.53°,具体数据见表1。高的激光能量条件下,溅射到衬底上的Nb原子有足够的动能进行扩散迁移,薄膜结晶性能提高。
图表编号 | XD0010392600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.05.25 |
作者 | 彭明娣、卢维尔、夏洋、王桐、赵丽莉、李楠 |
绘制单位 | 中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心、北京交通大学理学院、中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心、中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室、中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心、集成电路测试技术北京市重点实验室、中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心、中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心、中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心 |
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