《表2 WF6/Si H2Cl2体系制备钨硅薄膜的典型反应条件[27]》

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《半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用研究进展》

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该体系典型的沉积条件如表2所示，可以看出，该体系所需温度达到500～600℃，而通过WF6/Si H4体系进行钨硅薄膜的CVD制备时，所需的温度仅为350～400℃，如表1所示，说明了WF6/Si H4体系相对于WF6/Si H2Cl2体系更容易发生化学反应而沉积得到钨硅薄膜。Li等[28]采用WF6/Si H2Cl2体系进行了纳米WSix薄膜的制备研究，作者认为体系发生的化学反应如式（7）所示；研究发现，给料速率是控制薄膜性能的关键因素，高的WF6给料速率将提升薄膜中W的含量，进而降低薄膜电阻；而高的Si H2Cl2给料速率将提升薄膜中Si/W的比例，同时薄膜电阻也将增大。