《表1 WF6/Si H4体系制备钨硅薄膜的典型反应条件[27]》

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《半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用研究进展》

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以上反应描述了Si H3取代WF6分子中氟的过程，该模型正确地预测了沉积层中Si含量随温度的升高而增加的现象。WF6和Si H4在气相下剧烈反应，并放出热量，故而应严格控制反应条件，该体系下典型的反应条件如表1所示。Okada等[9]以Si H4和WF6为原料，采用CVD工艺在Si O2/Si基底上制备得到了钨硅薄膜，并研究了Si H4和WF6给料速率比（RS/W）对成膜的影响；随着RS/W的变化，气相中存在3种反应模式，通过原料给料速率的调控，可以很好地控制产物中的F含量，最终制备得到高度均匀且具有光滑表面的致密钨硅薄膜。