《表3 PVD和CVD技术制备钨硅薄膜的对比分析》

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《半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用研究进展》

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采用PVD和CVD技术制备钨硅薄膜的对比分析如表3所示。以高纯度钨硅靶材为原料，采用PVD溅射技术得到钨硅薄膜的纯度更高，但是，符合半导体使用要求的钨硅靶材制备工艺复杂、成本高。同时，PVD溅射使用靶材的利用率往往不足40%，导致整体成本的提升。此外，溅射条件对钨硅薄膜的性能具有重要影响，如Ar的纯度，因此，需要严格控制溅射过程以确保得到最佳性能的钨硅薄膜[29]。对于CVD制备钨硅薄膜常用的两种体系，WF6/Si H4体系可以在较低的温度（350～400℃）下制备得到钨硅薄膜；但是，该薄膜中往往存在氟和氢的残留，并且薄膜的阶梯覆盖率低；此外，高的应力变化使得薄膜容易脱落[30]。相对于WF6/Si H4体系，WF6/Si H2Cl2体系制备得到钨硅薄膜的阶梯覆盖率更高，并且薄膜边缘产生的微裂纹更少；但是，该体系需要更高的操作温度，而且设备容易被氯所腐蚀[31]。