《表2 2008-2018年来p型薄膜晶体管的制备工艺和性能》
p型半导体材料种类不多,主要可分为四大类。笔者主要以金属铜的相关氧化物为例,回顾了2008—2018年来p型TFT的研究历程,将各研究团队所采用的制备方法、使用的衬底以及得到的薄膜的场效应迁移率与开关比列总结为表2。
图表编号 | XD00200513800 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.12.01 |
作者 | 张世亮、翟荣丽 |
绘制单位 | 山东海化股份有限公司纯碱厂、山东大学微电子学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
p型半导体材料种类不多,主要可分为四大类。笔者主要以金属铜的相关氧化物为例,回顾了2008—2018年来p型TFT的研究历程,将各研究团队所采用的制备方法、使用的衬底以及得到的薄膜的场效应迁移率与开关比列总结为表2。
图表编号 | XD00200513800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.12.01 |
作者 | 张世亮、翟荣丽 |
绘制单位 | 山东海化股份有限公司纯碱厂、山东大学微电子学院 |
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