《表2 金属薄膜的制备工艺》

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《兼容电磁屏蔽红外增透薄膜器件的研究》

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使用ZZS500-2/G真空箱式镀膜机完成金属薄膜的制备，采用电子束热蒸发技术沉积Cu膜.将光刻有网栅的硅基底清洗后装夹到制备薄膜的工件夹上，金属薄膜沉积温度设置为120℃，调节工件反馈电流保证工件以一定的转速进行旋转保证受热均匀和得到膜层均匀的薄膜，采用机械泵将箱体内的真空度抽至低真空，然后转化到机械泵和扩散泵将箱体内抽成高真空，待箱体的真空度为3.0×10-3Pa镀制薄膜，最后冷却取件.取出制备好的金属薄膜冷却一段时间（室温）.在制备金属铜薄膜时，由于铜薄膜在Si基底的附着性不好，为此在硅基片上预先镀一层很薄（约50 nm）的铬（Cr）膜层作为过渡层，金属薄膜制备工艺见表2.