《表1 不同金属氧化物薄膜制备方法特性介绍[11-23]》

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《脉冲激光沉积法制备金属氧化物薄膜晶体管研究进展》

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目前金属氧化物薄膜的制备方法多种多样，如溶液法[11-12]、化学气相沉积（CVD）[13]、磁控溅射（Magnetron Sputtering）[14-16]、原子层沉积（ALD）[17-19]、分子束外延（MBE）[20]以及脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD）[21-23]等，各种制备方法的特点如表1所示。溶液法制备的薄膜成本较低，但存在迁移率低、薄膜均匀性差且缺陷多等问题；较之于其他真空技术，由于PLD中激光轰击产生的粒子具有很高的动能，制备的薄膜更容易在低的沉积温度下结晶，同时薄膜的化学组成精确可控[24-25]；此外，PLD制备金属氧化物薄膜还具有沉积速度快、生长温度低、靶材材料种类较多、沉积薄膜缺陷少以及可通过多靶装置实现多层膜和超晶格薄膜的生长等优点[26-27]。在PLD制备薄膜的过程中，其工艺过程是影响薄膜和TFT器件的关键，因此，如何通过优化工艺参数获得高性能的金属氧化物薄膜和TFT器件，是目前研究者们关注的重点。