《表2 薄膜晶体管比较:金属氧化物薄膜晶体管发展及其应用》
注:“”表示有待研究
总的来说,a-Si:H TFTs和Organic TFTs迁移率无法满足OLED显示驱动要求。低温多晶硅薄膜晶体管迁移率足够高,但其一致性差,无法在大尺寸显示上应用;并且其制备成本高,会提高显示产品价格。氧化物薄膜晶体管兼备高迁移率、低制备成本和高一致性等优点,比较适合用作OLED显示像素电路驱动管。薄膜晶体管性能比较如表2所示。
图表编号 | XD00112429800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.03.01 |
作者 | 韩德栋、董俊辰、李慧津、郁文、王漪、张兴 |
绘制单位 | 北京大学微纳电子学研究院、北京大学微纳电子学研究院、北京大学微纳电子学研究院、北京大学微纳电子学研究院、北京大学微纳电子学研究院、北京大学微纳电子学研究院 |
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