《表1 三种薄膜晶体管 (TFT) 特性对比》

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《X射线平板探测器背板工艺研究进展》

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非晶硅迁移率低（0.5~1cm2/ （V·s）） ，由其制备的TFT（a-Si TFT）读出电路每行的读出时间约为1ms，限制了其在高帧频X射线平板探测器上的应用，因此，需要引入具有高迁移率的TFT以实现高帧频探测。另外，引入高迁移率TFT可以缩小TFT尺寸，增大器件填充因子。主流的高迁移率薄膜晶体管有氧化物薄膜晶体管（Oxide TFT）与低温多晶硅薄膜晶体管（poly-Si TFT）两类，不同类型TFT的特性对比见表1。本小节将对两种薄膜晶体管在X射线探测基板中的应用做分别介绍。