《表1 图3中的3个TFT的特性参数Tab.1 Characteristics of oxide-TFTs showed in Fig.3》

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《金属氧化物TFT阈值对LCD显示屏可靠性的影响》

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图3为在不同的工艺下氧化物TFT的转移特性曲线，TFT的W/L=5/9，测试温度为室温，Vds=1 V。其中工艺A得到的氧化物TFT的Vth最负，工艺B和C的氧化物TFT的Vth更正。表1为对应于图3中3个不同工艺制作的氧化物TFT的特性参数，其中Von取自于Ids=1×10-10A时的栅电压值。