《表2 高压封装候选材料汇总》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《碳化硅IGBT电力电子器件封装和绝缘研究综述》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

IGBT器件分为压接型和焊接型。压接型IGBT由于通流容量大和优良的短路特性适用于柔性直流输电。但压接型IGBT器件主要是气体绝缘，由于压接工艺受到保护，其绝缘问题鲜有报道[21]，而焊接型器件绝缘封装材料可保护功率模块组件免受外部环境损害，如湿气、溶剂、气体和辐射[22]。此外，封装材料还有望提高高压模块（1 000 V）封装的额定电压，并防止在高压下产生电弧。高温应用的需要对传统的封装材料提出了挑战，玻璃、水凝陶瓷和聚合物这3种材料可能适合于高压高温电力电子包装。材料应是可处理的，并与模块结构兼容（如表2所示），具体为：