《表2 AZO薄膜的特征参数》

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《Ar流量对磁控溅射制备Al掺杂ZnO薄膜的影响》

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从表2可以看出，当Ar流量为28 m L/min时，样品的I(002）/I(101）高达129.6，随着流量增加逐渐降低至6.4。I(002）/I(101）比值的降低表明，薄膜c轴择优取向生长随Ar流量增加而变弱。这种溅射功率和气体压力均不变，择优取向生长的变化，此前极少报道[2]。当Ar流量为28 m L/min时，（002）峰的位置2θ（002）为34.599°，随着Ar流量增加，逐渐降低至34.537°；（002）面间距d(002）相应地由2.590 4?逐渐增大至2.594 8?，如表2所列。可以认为，虽然AZO薄膜中O含量均低于理想配比，但随着Ar流量增大O含量有所升高，因而晶格膨胀，晶面间距变大[3]。表2还列出了（002）峰半高宽（FWHM）及由Scherrer公式计算的晶粒尺寸，随着Ar流量增加，FWHM由0.247°减小至0.238°，相应的晶粒尺寸由36.9 nm增加至38.5 nm，表明AZO薄膜具有纳米微观结构。