《表1 AZO薄膜工艺参数》

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《射频溅射功率对室温沉积AZO薄膜性能的影响》

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实验采用K11-070磁控溅射系统，基片为0.7mm的洛玻玻璃，使用前采用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗，溅射采用直流射频耦合磁控溅射方式，溅射前本底真空为5×10-4Pa，溅射气体为高纯Ar气，纯度5N；靶基距7cm，基片接地；靶材为AZO陶瓷靶（合纵，北京），纯度4N，直径60mm，厚5mm，其中Al2O3含量2wt%；通过前期实验，优选溅射功率总和为250W，功率密度为8.8W/cm2（普通溅射功率密度3W/cm2-5W/cm2），制备过程中室温溅射；预溅射1h，之后在工作压强0.2Pa，不同直流功率及不同射频功率下沉积一系列厚度为800±30nm左右的AZO薄膜，详细工艺参数如表1。