《功率半导体器件 工作原理和制造工艺》求取 ⇩

目录1

译者的话1

第一章 基本概念1

1.1 寿命2

1.2 载流子输运7

1.3 单注入10

1.3.1 局部填满的复合中心12

1.4 双注入13

1.3.2 穿通13

1.4.1 雪崩注入14

1.4.2 碰撞电离16

1.4.3 电流线和微等离子体17

1.5 热不稳定性18

1.5.1 本征温度18

1.5.2 中等离子体和二次击穿19

1.5.2.1 稳态特性20

1.5.2.2 起始时间23

1.6 问题25

第二章 反向偏置二极管26

2.1 反向电流27

2.2 雪崩击穿29

2.3 倍增因子31

2.4 击穿电压32

2.4.1 突变结33

2.4.2 穿通结36

2.4.3 n+-i-p+结37

2.4.4 线性结38

2.4.5 扩散结42

2.5 耗尽层弯曲45

2.5.1 柱面结46

2.5.2 球面结48

2.5.3 扩散保护环结构50

2.5.5 等势环57

2.5.4 场极板结构58

2.6 表面成形技术59

2.6.1 正倾斜结60

2.6.2 负倾斜结60

2.6.3 倾斜的晶闸管结构64

2.6.4 倾斜的p+-n-n+结构67

2.6.5 腐蚀外形的简易方法68

2.7 不稳定性68

2.7.1 中等离子体和二次击穿71

2.8 问题72

第三章 正向偏置二极管73

3.1 突变结73

3.1.1 正向注入73

3.1.1.1 窄基区二极管77

3.1.2 反向恢复78

3.2 扩散结83

3.2.1 重掺杂效应85

3.3 p+-i-n+二极管87

3.3.1 正向电压91

3.3.1.1 载流子-载流子散射效应93

3.3.1.2 俄歇复合效应94

3.3.1.3 注入效率的影响95

3.3.2 反向恢复102

3.3.2.1 中间区掺杂效应107

3.4 不稳定性109

3.3.2.2 扩散结效应109

3.5 问题110

第四章 晶体管112

4.1 器件结构112

4.2 输出特性114

4.3 电流增益121

4.3.1 注入效率123

4.3.2 高电平β下降：发射极效应125

4.3.3 高电平β下降：集电极效应130

4.3.3.2 一维模型134

4.3.3.1 二维模型134

4.4 增益-带宽乘积136

4.4.1 n+-p-n+晶体管136

4.4.2 n+-p-v-n+晶体管：弱场情形137

4.4.3 n+-p-v-n+晶体管：强场情形137

4.5 不稳定性和二次击穿137

4.5.1 侧向电不稳定性138

4.5.1.1 高压条件下器件的工作139

4.5.1.2 大电流条件下器件的工作140

4.5.2 侧向热不稳定性141

4.5.3 有关的措施143

4.5.4 安全工作区145

4.5.5 结束语146

4.6 问题147

第五章 晶闸管148

5.1 反向阻断模式150

5.2 正向阻断模式155

5.2.1 电阻分路159

5.2.2 阴极短路160

5.2.3 其它的短路结构163

5.3 正向传导模式165

5.3.1 维持电流167

5.4 开启过程168

5.4.1 di/dt限制171

5.4.1.1 扩展速度172

5.4.1.2 di/dt额定值的改进174

5.4.1.3 放大的控制极晶闸管176

5.4.2 du/dt效应177

5.4.2.1 du/dt额定值的改进178

5.4.2.2 与开启过程的相互作用179

5.4.3 光开启180

5.5 反向恢复182

5.5.1 恢复特性的改进186

5.5.1.1 降低寿命的技术186

5.5.1.2 辅助的控制极关断187

5.5.1.3 反向传导晶闸管189

5.6 控制极关断191

5.6.1 压缩速度192

5.6.3 最大阳极电流195

5.6.2 关断增益195

5.6.4 下降时间196

5.6.5 结束语197

5.7 双向晶闸管197

5.7.1 结型控制极控制199

5.7.2 间接控制极控制200

5.7.3 双向三端晶闸管201

5.7.3.1 换向速率du/dt206

5.7.4 触发器件207

5.8 不稳定性和失效模式209

5.9 问题211

第六章 制造工艺212

6.1 原材料213

6.1.1 直拉硅213

6.1.2 浮带区熔硅215

6.1.3 中子掺杂218

6.2 结的形成220

6.2.1 扩散220

6.2.1.1 闭管系统224

6.2.1.2 开管系统225

6.2.1.3 掺杂剖面分布226

6.2.2 合金229

6.2.3 外延231

6.3 深能级的控制234

6.3.1 改进寿命的技术235

6.3.1.1 含卤素的掺杂源236

6.3.1.2 金属吸收236

6.3.1.4 玻璃层237

6.3.1.3 机械损伤237

6.3.2 降低寿命的技术238

6.3.2.1 掺杂238

6.3.2.2 电子辐照241

6.4 欧姆接触242

6.5 引线和小片连接244

6.5.1 热学设计244

6.5.1.1 瞬变热阻抗245

6.5.2 焊料系统248

6.5.3 冷压连接系统249

6.6 表面钝化251

6.6.1 有机涂料和涂覆251

6.6.2 玻璃251

6.6.3 热氧化层252

6.6.4 多晶硅膜253

6.7 密封和组装254

硅的性质256

常用物理常数256

符号257

参考文献267